Nákres prototypu obvodu FeRAM
Ramamoorthy Ramesh a Jungling Wang, vědci z univerzit v Berkeley a Singapuru, tvrdí, že problém vyřešili. Objevili levný, rychlý a nedestruktivní způsob, jak přečíst data z ferroelektrické paměti za pomoci viditelného světla. Když se na paměťovou buňku z feritu bismutu (BiFeO3) posvítí, lze na ní změřit napětí, které je podle polarity bitu různé. Tuto vlastnost materiálu objevili už výzkumníci z Rutgers University v roce 2009. S nedestruktivní ferroelektrickou pamětí experimentovala Jet Propulsion Laboratory pod NASA už v roce 1991, tehdy však vědci používali silný ultrafialový laser a připouštěli, že laser by musel být tak o jeden řád slabší, aby se technologie vůbec dala komerčně nasadit.
Podle nejnovějšího výzkumu, čtení nebo zápis dat u FeRAM trvá 10 nanosekund a k zápisu je potřeba napětí 3 V. Paměti NAND Flash jsou řádově tisíckrát pomalejší a při zápisu prý potřebují až 15 V (je zvláštní, že se při takovém napětí tranzistory neprorazí…?). Prototyp, kteří mají vědci k dispozici, ale používá feritové pásky dlouhé 10 mikrometrů. Ramesh se domnívá, že teoreticky by mělo být možné zařízení zmenšit pro výrobní postupy s velikostí prvků kolem 20 nm, připouští však, že pro komerční nasazení bude nutné překonat několik překážek.
Zdroj: bit-tech.net
