Pro nás je asi nejzajímavější informace, že ačkoliv TSMC ještě pořádně nerozjelo svůj první proces s tranzistory typu FinFET (tedy ten 16nm), hodlá poměrně rychle nabídnout další generaci na 10 nm. Tento proces má údajně odstartovat rychle, jelikož by měl z významné části profitovat z vývoje první FinFETové generace na 16 nm. Kromě samotných 3D tranzistorů budou hrát roli zejména techniky používající vícenásobnou expozici, které z 16nm procesu vychází.
Kvalifikace procesu by podle aktuálních plánů měla proběhnout do konce tohoto roku, nicméně další kroky k odladění a dotažení procesu do stavu, který bude způsobilý ke komerční výrobě, ještě zaberou značnou dobu. Masová výroba by se ale údajně měla dostat ke slovu v roce 2017. V tomto roce se prý mají objevit rovněž první 10nm čipy Intelu; obě data asi ale nejsou úplně srovnatelná. Podle dostupných zpráv má mít Intel 10nm produkty už začátkem roku, přitom je ale řeč o jejich dostupnosti v obchodech. Naproti tomu u TSMC se může jednat i o pozdější část roku, a navíc v tomto případě asi bude zákazníkům trvat další měsíce, než se vyrobené 10nm čipy skutečně objeví na trhu.
Částečně by za údajně rychlým startem 10 nm měla být také užší a včasnější spolupráce s klienty. TSMC už validovalo řadu vývojových nástrojů a v tuto chvíli už prý spolupracuje na „tape-outu“ čipů s více než deseti klienty. Validace ve spolupráci s externími partnery údajně začala až o půl roku dříve ve srovnání s vývojovými cykly předchozích generací. S těmito klienty v podstatě TSMC přechází na model, kdy jsou zákaznické produkty (čipy) vyvíjeny paralelně s procesem, jímž se mají vyrábět, místo aby návrh čekal na finalizaci procesu. Na 16nm a pozdějším procesu se tedy firmy vyrábějící v TSMC mohou o něco přiblížit tomu, jak svá CPU a jejich výrobní procesy vyvíjí Intel. Díky tomu se i jejich čipy budou moci začít na nejnovějších procesech vyrábět o něco dříve, i když zpoždění za Intelem asi do budoucna nezmizí.
Výrobní závod TSMC na Tchaj-Wanu
Další generace po 10 nm snad v roce 2019
TSMC již pracuje i na generaci následující po 10nm procesu, i když Suk Lee nechtěl potvrdit, zda ponese označení 7 nm (dřívější zprávy ovšem o 7 nm hovořily). Také u ní mají zřejmě být použité tranzistory typu FinFET – z vyjádření alespoň vyplývá, že tato technologie bude základem minimálně několika příštích generací procesů TSMC. Ohledně dalších detailů zatím informace nepadly, takže nevíme, zda už v této fázi dojde řada na EUV, nebo bude dále stačit vícenásobná expozice na nynějších vlnových délkách. Údajně jde ale vývoj dobře a naplňování „Moorova zákona“ bude v dohledné době pokračovat.
Tento „post-10nm“ proces má údajně být záležitostí let 2017–2019. Pokud se bavíme o startu komerční výroby, je zřejmě reálnější konec tohoto intervalu. Ovšem je možné, že z výroby do praxe to opět čipům bude chvíli trvat, takže reálně možná budou v provozu až třeba v roce 2020. Pokud se tedy nezaskví ona časná spolupráce s klienty, která by mohla tyto prodlevy zmírnit.
Zdroj: Guru3D
