Když Intel s Micronem oznámili novou nevolatilní paměť 3D XPoint, byli jedinými výrobci pamětí pro úložiště (tedy v podstatě NAND Flash), kteří takovou next gen technologii měli v rukou. To se po letech, kdy už jsou na ní založené Optane SSD na trhu, zatím nezměnilo. Výrobci NAND ovšem zareagovali vyvinutím výkonnějších a méně choulostivých typů NAND, které výkonnostní náskok 3D XPoint částečně snižují, například použitím zápisu SLC. Samsung má Z-NAND, Toshiba oznámila XL-Flash a nyní se přidává i Western Digital s vlastní alternativou.
LLF NAND
Počin WD bude mít prozaické jméno Low Latency Flash NAND (LLF NAND). Jak se asi dá čekat, její určení je stejné jako u Z-NAND, XL-Flash a potažmo Optane: poskytnout jakýsi mezikrok mezi velmi rychlou, ale v přepočtu na kapacitu značně drahou DRAM a levnou, ale pomalou a poněkud problematickou (kvůli opotřebení zápisem) NAND Flash.
Low Latency Flash NAND by měla používat záznam SLC nebo MLC, tedy se zápisem jednoho nebo dvou bitů do jedné buňky. Podle WD má LLF NAND přístupové doby měřené na mikrosekundy (desítky, ideálně možná jednotky proti stovkám u běžné NAND). Western Digital ovšem LLF NAND neoznačuje jako „Storage Class Memory“, což implikuje vlastnosti nějak se blížící DRAM v životnosti a výkonu. To je ambice 3D XPointu, ale třeba také pamětí MRAM nebo NRAM, LLF NAND má skromnější sliby.
Low Latency Flash NAND má latencí a výkon zapadnout někam mezi DRAM a běžné čipy NAND Flash (Zdroj: AnandTech)Zatím o dalších detailech LLF NAND není mnoho známo, takže nevíme, zda půjde o úplně specifické čipy, kde by WD mohlo například nasadit architekturu s více paralelními oddíly v rámci čipu, menšími stránkami a bloky, což vše zvyšuje výkon. Teoreticky by dokonce mohlo jít jen o adaptaci existujících čipů s deaktivováním TLC/MLC záznamu. Také nevíme, zda tato technologie něco sdílí s XL-Flash od Toshiby. Dávalo by to smysl, protože obě firmy spolupracují na vývoji a výrobě běžné 3D NAND ve společném podniku. Ale potvrzeno to není a tak je možná i varianta, že si WD (SanDisk) vyvinulo svou vlastní rychlou NAND separátně a s jinými charakteristikami.
Také cena paměti či zařízení ale bude vyšší než u běžných SSD, byť mají přinášet úsporu proti stejné kapacitě v DRAM (Zdroj: AnandTech)O dost dražší než běžná NAND Flash
Podle WD by LLF NAND měla být řádově levnější než DRAM, aby mohla zastávat onu úlohu mezistupně mezi úložištěm/SSD a operační pamětí. Měla by ale současně asi být o dost dražší než běžné čipy NAND, možná také řádově. Tím pádem by asi byla určená jen pro hodně specifické použití v enterprise hardwaru, serverových akcelerátorech a podobných speciálních zařízeních. Nebo jako mezipaměť v zařízení, které by z většiny používaly pro uložení dat klasickou levnou Flash. Pokud by LLF NAND stála na jeden gigabajt třeba desetkrát nebo dvacetkrát tolik, co TLC či QLC 3D NAND, pak se asi nedá čekat, že by se objevila jako hlavní médium tvořící kapacitu v běžných SSD pro osobní počítače. A už vůbec ne v těch obyčejných levných pro spotřebitelský trh. Jako mezipaměť by se ale možná použít mohla, coby náhrada pro DRAM buffer. Výhoda by byla, že by pak nebyl volatilní a odolával by výpadku napětí.
