Fotogalerie: Nevolatilní paměť eMRAM od Samsungu na 28nm FD-SOI procesu
Sdílet galerii
Další galerie
Nejnovější články
- [AKTUALIZOVÁNO 21. 11.]Black Friday spouští lavinu slev! Zjišťujeme, kde a na čem lze ušetřit i vyšší tisíce korun
- První vývojářská verze Androidu 16 přezdívaného Baklava je tu. Jaké novinky a funkce přináší?
- Nová 3D tiskárna Prusa CORE One oznámena. Měl by se populární Bambu Lab začít bát?
- Renesance, nebo návrat Vegy? Radeony RX 9000 dostanou sjednocenou AI-herní architekturu UDNA
- Recenze notebooku Asus ExpertBook P5: Úsporný pracant s výborným matným OLEDem
- Intel bude mít vlastní odpověď na 3D V-Cache. Zatím se ale nedostane do herních procesorů
MRAM je složena ze dvou feromagnetických filmů, u nichž lze měnit orientaci magnetického pole. Změna pole se projevuje jako změna elektrického odporu, což je použito ke k zakódování uložených dat
Redakce