Fotogalerie: Nevolatilní paměť eMRAM od Samsungu na 28nm FD-SOI procesu
Sdílet galerii
Další galerie
Nejnovější články
- [AKTUALIZOVÁNO 22. 11.]Black Friday spouští lavinu slev! Zjišťujeme, kde a na čem lze ušetřit i vyšší tisíce korun
- Chcete iPhone 15 Pro Max a další elektroniku za zlomek ceny? Celníci chystají velkou aukci zabavené elektroniky
- ARM Windows má lepší emulaci x86. Rozběhne programy a hry, které doteď nešly
- První vývojářská verze Androidu 16 přezdívaného Baklava je tu. Jaké novinky a funkce přináší?
- Nová 3D tiskárna Prusa CORE One oznámena. Měl by se populární Bambu Lab začít bát?
- Renesance, nebo návrat Vegy? Radeony RX 9000 dostanou sjednocenou AI-herní architekturu UDNA
MRAM je složena ze dvou feromagnetických filmů, u nichž lze měnit orientaci magnetického pole. Změna pole se projevuje jako změna elektrického odporu, což je použito ke k zakódování uložených dat
Redakce