Jak jsme již psali v prosinci, GlobalFoundries hodlají na 10nm najet odvážně již roku 2015. To bylo nyní potvrzeno na konferenci Common Platform Technology Forum (GlobalFoundries totiž na vývoji spolupracuje s dalšími členy Common Platform, například s IBM). 10nm proces se nyní oficiálně jmenuje 10XM (extreme mobility), z čehož je již patrné, že půjde o duchovního pokračovatele hybridního procesu 14XM. Ten využívá vrstvy BEOL (kovové mezispoje) ze staršího a zralejšího 20nm procesu (20LPM), který by se měl rozjet letos. Výkon a hustotu ovšem oproti 20 nm vylepšuje použitím tranzistorů typu FinFET, které si proti těm klasickým rovinným vystačí i s menším prostorem.
I 10XM bude zřejmě podobně hybridním procesem, což vysvětluje optimistické datum jeho spuštění. Zatímco proces 14XM by měl odstartovat někdy počátkem příštího roku, 10XM zřejmě přijde spíše ke konci roku 2015, rozestup tedy bude okolo půldruhého léta. Tento 10nm proces dle všeho bude proporcemi prvků odpovídat 14nm procesu, pokud by byl založen na klasických rovinných technikách. BEOL má být tedy 14nm, a na úroveň 10 nm se proces dostane zásluhou tranzistorů typu FinFET. Ve srovnání s procesem 14XM u nich pochopitelně dojde k patřičnému zmenšení.
Zatímco 28nm proces GlobalFoundries má čtyři varianty, na následujících stupních chystá firma jen jedinou verzi, která bude pokrývat celé spektrum čipů, od těch výkonných, přes úsporné až po ty nejmobilnější. Tak tomu má být i u procesu 10XM. Vzhledem k rostoucím nákladům lze sice chápat, že jsou prostředky soustředěny na jediný proces, mohlo by to však znamenat, že pro některá použití nebude optimální. Jelikož budou procesy 14XM a 10XM zaměřeny zejména na nízkospotřebové mobilní čipy, hrozí, že na něm například nebude možné dosahovat tak vysokých frekvencí, jak by bylo záhodno pro desktopové procesory.
Zda li tomu tak bude, ukáže ovšem až čas. GlobalFoundries pro proces 10XM zatím neuvedla žádná oficiální čísla; nemáme tedy zatím ani hrubé vodítko, jaký nárůst frekvencí a počtu tranzistorů tento proces umožní.
Zdroje: Bright Side of News, SemiAccurate
