Minulý týden jsme zde informovali, že společnosti Adata a Micron začínají s komerčními dodávkami pamětí DDR4, které letos odstartují v desktopové platformě Haswell-E a serverech s Xeony E5-2600 v3 (Haswell-EP). Tyto paměti asi zpočátku neposkytnou nějak radikálně vyšší výkon než DDR3, zdá se ale, že by mohly přinést zvednutí kapacit paměťových modulů. Tento týden totiž pro změnu společnost SK Hynix předvedla modul DDR4, který na jednom PCB nese rekordních 128 GB paměti.
V tomto případě půjde o modul určený pro serverové systémy, a zájemce asi přijde docela draho, to mu ale neubírá na zajímavosti. Dostat na jeden DIMM 128 GB totiž není jednoduché. Paměť DDR4, kterou Hynix používá, se vyrábí na procesu 20nm třídy (což může znamenat cokoliv v rozmezí 20–29 nm). Kapacita jednoho čipu je však i tak omezena toliko na 8 Gb (1 GB). Pro dosažení 128 GB tedy čipů potřebujete 128. Ve skutečnosti k tomu ale přibude ještě dalších 16 kvůli paritě, neboť jde o serverový modul s ECC. Pokud by byla použita klasická konstrukce, takovéto množství čipů na modul nedostanete.
Hynix to vyřešil aplikací technologie TSV („through silicon vias“). Ta spočívá ve vytvoření vodičů, pronikajících vertikálně skrz plochu čipu, což umožňuje na tuto vrstvu naštosovat (stohovat) další „patro“ křemíku a obojí propojit (napájením na kontakty vniklé na svršku čipu). Vzniká tak vlastně 3D čip, který může mít několik vrstev, což u paměti znamená násobně vyšší kapacitu při stejném rozměru. Tento způsob zapouzdření čipů ale pochopitelně zvyšuje technickou náročnost výroby.
Hynix vyvinul paměťový modul DDR4 s kapacitou 128 GB. Používá 3D čipy
Hynix nezveřejnil popis konfiguraci čipu, takže nevíme úplně jistě, kolik čipů je v pouzdrech BGA jeho 128GB modulu naštosovaných. Při dvou čipech na pouzdro by DIMM musel nést 72 pouzder, při čtyřech čipech „v jednom“ jen 36. Paměťové moduly se 72 pouzdry (což s jednoduchými 8Gb čipy dává kapacitu 64 GB) sice existují, údajný obrázek modulu, jenž se objevil na webu, ale vypadá spíše na mnohem kompaktnější konstrukci s 36 pouzdry. Hynix má tedy zřejmě v každém „švábu“ čtyři propojené paměťové čipy (pravda, nevíme, zda jsou všechny štosované, pouzdro by mohlo mít dva čipy uložené i paralelně). Ještě více pater by se ale mohlo objevit – a nejspíš i objeví – v budoucnu.
Co se dalších parametrů týče, měl by modul zřejmě být typu registered. Přenosová rychlost není na desktop závratná, efektivní takt činí 2133 MHz. Napájecí napětí je standardní dle specifikace DDR4, tedy 1,2 V. Pro Hynix by měly být takovéto vysokokapacitní moduly výnosným byznysem, neboť nejvyšší kapacity se prodávají za vysoké ceny.
Do produkce ale zbývá ještě zhruba rok. Hynix má totiž v tuto chvíli vyvinuté toliko prototypy, a ostrá výroba 128GB pamětí začne až v první polovině roku 2015. Doufejme ale, že se takovéto 3D čipy časem stanou normou a umožní větší kapacity RAM také v noteboocích a PC. Standard DDR4 totiž kvůli protokolu point-to-point umožňuje použít na každém kanálu paměťového řadiče jen jeden modul. To znamená, že maintstreamové CPU bude moci obsloužit pouhé dva DIMMy a dejme tomu Haswell-E jen čtyři. Pro zachování současných možností tedy bude třeba, aby se „zvětšily“ samotné paměťové moduly.
Aktualizováno:
Web KitGuru přinesl další fotografie modulu, takže zřejmě můžeme potvrdit, že tento DIMM používá 36 pouzder se čtyřmi 8Gb čipy uvnitř.
Zdroje: SK Hynix, techPowerUp
