Po letech čekání má Intel na trhu nevolatilní paměti 3D XPoint a na nich založená Optane SSD. Ta se asi budou šířit pomalu kvůli vyšší ceně za gigabajt, ale v oblasti nejvýkonnějších (a nejdražších) enterprise úložišť to nevadí. Hrozbu, že Intel těmito novými pamětmi zcela převálcuje tradiční SSD, zřejmě docela silně vnímá Samsung, který je v současnosti králem flashových úložišť a pravděpodobně také vývoje samotné paměti NAND Flash. Jako reakci na hrozbu Optane proto vyrobil řadu disků nazvanou „Z-SSD“. Ty mají vytáhnout z tradiční NAND Flash to nejlepší a vyrovnat se novým Optane SSD – přinejmenším na čas, dokud jsou paměti 3D XPoint v plenkách. První Z-SSD jde nyní na trh v podobě disků Z-SSD SZ985.
Samsung Z-SSD SZ985 používá paměti, které Samsung označuje Z-NAND, nicméně nejde o zcela novou technologii, mělo by se jednat o derivát klasických vrstvených pamětí V-NAND. Na trh jdou nyní první dva modely s kapacitou 240 a 800 GB. Mají o poměrně malé „velikosti“ (což ovšem platí i pro 3D XPoint), ačkoliv dříve Samsung avizoval kapacity 1–4 TB. Samsung u těchto disků uvádí poměrně vysoké výkony i životnost, takže skutečná fyzická kapacita je zřejmě vyšší a velké procento se nachází v rezervě. Jako obrana proti 3D XPointu to je schůdná strategie, protože tyto paměti mají samy o sobě nižší kapacity a jsou asi zároveň výrobně dražší.
Z-SSD SZ985 má formu nízkoprofilové karty PCI Express 3.0 ×4, opatřené pasivním chladičem. Uvnitř je kromě NAND a řadiče také 1,5 GB paměti LPDDR4 jako cache (minimálně u 800GB verze). Z-SSD tedy zdá se používají větší poměr DRAM bufferu ke kapacitě NAND než běžná SSD Samsungu.
Podobná výdrž, podobný papírový výkon
Samsung pro Z-SSD SZ985 uvádí výkony v náhodném přístupu 750 000 IOPS ve čtení a 170 000 IOPS. Pokud jde o čtení, byl by výkon teoreticky vyšší než u Optane SSD DC P4800X (550 000/500 000 IOPS), ale v zápisu už je značně nižší. Samsung také může nabídnout vyšší sekvenční rychlosti. Zatímco Intel uvádí 2,4 GB/s při čtení 2,0 GB/s při zápisu, specifikace Z-SSD SZ985 hovoří o sekvenčním čtení a zápisu až 3,2 GB/s. Proč trpí Intel nižšími sekvenčními rychlostmi, není úplně jasné, ale je pravda, že v tomto parametru zaostával za Samsungem již dříve. Může teoreticky jít i o nějaký kompromis v řadičích ve prospěch vyšších IOPS a nižších latencí.
Samsung Z-SSD SZ985Je ovšem pravděpodobné, že Optane si povede výrazně lépe při zátěžích s krátkou frontou („QD1“) a pod extrémní zátěží. Samsung uvádí latence čtení 12–20 μs a 16 μs pro zápis, zatímco Intel pro serverové karty Optane SSD slibuje 10 μs pro čtení i zápis. Co je poměrně zajímavé, je udávaná výdrž. Samsung dává garanci na 30 kompletních přepisů denně po dobu pětileté záruky, což je identické jako u konkurenčních Optane SSD. Výběrová vyladěná NAND zde tedy zatím dokáže konkurovat, i když v reálném testu životnosti se stejně sofistikovaným rozkládáním zátěže a ECC algoritmy by čipy 3D XPoint asi prokázaly, že vydrží víc.
Reálné rozdíly ve výkonu v náročných nasazeních pochopitelně ukáží až nezávislé testy. Čistě podle papírových parametrů to ale vypadá, že v některých ohledech se Samsungu podařilo dostat Z-SSD dostatečně blízko k Optane SSD, aby dokázal v tomto serverovém highendu konkurovat. Otázka ale je, zda dlouhodobě. Optane SSD jsou dnes asi držena zpátky zatím nezralým stavem pamětí 3D XPoint. Jejich kvalita a výkon patrně ještě slušně vzroste a Z-NAND, napínající potenciál technologie pamětí Flash, pravděpodobně dříve nebo později krok neudrží.
Poukázat by se asi mělo i na to, že Samsung disky Z-SSD uvedl o rok později proti Optane SSD, vzdor tomu, že používají zaběhanou technologii. Samsung již sice oznámil druhou generaci Z-NAND, ale disky založené na ní jsou ještě vzdálené. Karty Z-SSD SZ985 totiž budou prezentovány v polovině února na International Solid-State Circuits Conference, zatím se ale asi teprve chystají do reálného prodeje.
