64vrstvé čipy NAND ještě letos
Samsung je první firma, která
vrstvené čipy NAND dotáhla do komerčního nasazení (a to se
slušným náskokem). Začala na 24 vrstvách, v úspěšném
SSD 850 Pro přišla již s druhou generací o 32, letos se
na trh dostaly 256Gb
čipy s 48 vrstvami (například v 4TB
verzi 850 Evo, nebo v externím
SSD T3). V docela rychlém sledu se má na trh dostat už
čtvrtá generace. Samsung by podle své tiskové zprávy měl
představit nějaké produkty s touto technologií již tento
rok, v jeho čtvrtém kvartále.
V-NAND čtvrté generace zvýší počet
vrstev na 64. Samsung není první, kdo takové paměti oznámil,
stihl to před ním tandem WD-Toshiba, jejichž paměti
Bi-CS třetí generace mají stejný počet vrstev. Samsung ale
jednak asi bude mít výrobky dříve reálně dostupné, hlavně ale
jeho 64vrstvé čipy přinesou vyšší kapacity. Mají totiž
poskytovat prostor již 512Gb – tedy 64 GB – na jeden
kousek křemíku. Ta je dnes bezprecedentní, jen Micron s Intelem
letos začali používat 384Gb čipy typu TLC. Zda je i čip
Samsungu typu TLC, nevíme, je to však pravděpodobné.
Velikost 64 GB je dvojnásobkem toho,
co Samsung doposud měl. Bude svým způsobem i problematická,
jelikož na osmikanálovém řadiči bude možno založit nejméně
512GB SSD. Pro levnější produkty tedy Samsung asi ještě dlouho
bude vyrábět starší čipy druhé a třetí generace, které
mají kapacity 128 a 256 Gb. To asi také vysvětluje, proč se
mu vyplatí uvádět novou generaci technologie možná s méně
než roční prodlevou po té třetí, která se teprve začala
prosazovat.
32TB SSD v 2,5" provedení
Zdvojnásobení velikosti jednoho čipu
otevře Samsungu cestu k výrobě SSD s adekvátně
zvýšenou kapacitou – a přesně takové produkty také
korejský koncern na Flash Memory Summitu prezentoval. První z nich
bude opět ždímat lukrativní enterprise trh, stejně jako disk
PM1633a
s kapacitou 15,36 TB, který byl prvně oznámen loni.
Příští rok na něj Samsung naváže údajně 32TB diskem
s rozhraním SAS a zřejmě s označením PM1643, který bude
založený právě na nové V-NAND čtvrté generace.
Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB
Tento disk má být složen z celkem
512 čipů. Vždy 16 kousků V-NAND křemíku s kapacitou 512 Gb
bude naštosováno v jednom pouzdře, které tím pádem
poskytne samo o sobě 1 TB. Připravovaný velikán bude
tedy potřebovat 32 těchto pouzder. Zajímavé na tom je, že se na
rozdíl od 60TB Seagatu stále vejde do 2,5" pouzdra (patrně
s výškou 15 mm), což je pro zahuštění velkého
množství dat do omezeného prostoru v serverovém racku velké
plus. Disk by tedy v serverech měl automaticky dosáhnout
dvojnásobného diskového prostoru proti dnešním PM1633a,
pochopitelně ale za velkou cenu.
Tento disk se má začít vyrábět
v příštím roce, přesnější časové umístění zatím
nemáme. PM1633a je reálně dostupné zhruba od poloviny roku,
a u tohoto 32TB modelu by to možná mohlo být podobné.
Také Samsung jinak počítá s dalším růstem kapacit, byť
možná v o něco pomalejším tempu – společnost
uvádí, že do roku 2020 se dočkáme disků s kapacitou přes
100 TB. Jen doufejme, že budou ceny za 1 TB klesat rychleji než
dnes, jinak totiž taková SSD budou cenově velmi nedostupná.
1TB v mini SSD vážícím 1 gram
512Gb čipy se zároveň uplatní i na
druhém konci spektra, v mobilních zařízeních. Samsung je
hodlá upotřebit také ve svých miniaturních SSD, které mají
NAND, DRAM i řadič integrované v jediném malém pouzdru
BGA. V červnu Samsung v této řadě odhalil NVMe
úložiště s kapacitou 512 GB, které by mělo pracovat
s 256Gb čipy V-NAND třetí generace. Čtvrtá 512Gb generace
dovolí přímočaře zvětšit kapacitu na dvojnásobek, a ono
mini-SSD v jediném „švábu“ tudíž bude dostupné už
v kapacitě 1TB. Půjde o ideální úložiště pro
tablety či ultramobilní notebooky, zároveň je totiž velmi lehké
(1 g). Samsung údajně pouzdro zmenšil o 50 %,
přičemž starší BGA úložiště měla velikost 16 × 20 mm.
Plocha novinky by tedy snad mohla být někde okolo 10 × 16 mm.
BGA SSD v jednom pouzdře s kapacitou 1 TB
Toto SSD má podle Samsungu mít čipy
TLC (čímž se asi potvrzuje, že ona 512Gb kapacita používá
tento druh zápisu; teoreticky by ale Samsung mohl vyrobit zároveň
i stejně „prostornou“ variantu MLC, jenže to by byl jiný
a fyzicky větší čip) a k nim mězipaměť typu
LPDDR4 a řadič vyvinutý Samsungem. Rychlost zápisu má být
údajně až 900 MB/s a čtení 1500 MB/s, saturoval by tedy
minimálně dvě linky PCI Express 3.0.
Z-SSD
Na bázi V-NAND čtvrté generace má
být vytvořeno ještě jedno nové úložiště, které Samsung
tituluje „Z-SSD“, Má přinést vysoký výkon a údajně až
čtyřnásobně zkrácené latence; ve srovnání se Samsungem
PM963 prý zase nabídne až 1,6× rychlé čtení (což by mělo
znamenat něco okolo 2560 MB/s). O tomto disku ale Samsung již
nic dalšího nesdělil a tak zatím netušíme, jak moc
speciální bude. Podle fotografií v tiskové zprávě jde
zřejmě o NVMe kartu do slotu PCI Express, což ovšem není
nic nového. Z-SSD má být uvedeno opět příští rok, takže se
snad dozvíme víc během následujících měsíců.
Samsung Z-SSD
Zdroj: Samsung
