Přechod paměti NAND na vrstvené „3D“ čipy přinesl docela rychlou evoluci, která pomohla kromě kapacit čipů (a tím i SSD) také zlepšovat jejich výkon. Samsung nyní oznámil přechod na další vývojový stupeň své 3D NAND (kterou ovšem sám označuje V-NAND), jež by měla schopnosti flashových úložišť takto posunout právě i ve výkonu. A opět přinést snížení výrobních nákladů (a eventuálně snad také cen) za jeden gigabajt.
Podle tiskového prohlášení nyní začala masová výroba čipů nové, již páté generace vrstvené NAND Samsungu. Tato nová generace obsahuje vertikální buňky už s více jak 90 vrstvami, proti čtvrté generaci se 64 vrstvami a třetí se 48 vrstvami. Přesný počet tentokrát Samsung neuvádí, ale lze se asi domnívat, že by vrstev mohlo být 96, jelikož doposud byla používána samá „kulatá“ čísla tohoto typu. Pro buňky zůstává stále použitá technologie „charge trap“, ale Samsung uvádí, že tloušťka jednotlivých vrstev byla snížena o 20 %, což asi zjednodušilo implementaci 96 vrstev. Doufejme ale, že se toto fyzické zmenšení neprojevilo na spolehlivosti. Rušení mezi vrstvami by prý měla omezit pokročilejší technologie ukládání vrstev atomů, kterou Samsung pro tyto čipy nasadil.
Vyšší výkon
96vrstvé čipy budou asi nadšenci v SSD vítány, jelikož individuální čipy mají mít vyšší výkon, což po jejich zapojení na vhodný řadič umožní zvýšit i výkon celkový. Podle Samsungu má zápis do buněk trvat o 30% kratší dobu než než u předchozí generace, doba je údajně asi 500 μs. Údajně jde pro V-NAND zatím nejlepší výsledek. Také latence čtení, která je u V-NAND páté generace 50 μs, údajně byla výrazně snížena – ale zde nevíme, v jakém poměru. Také maximální přenosová rychlost dat mezi čipem NAND a řadičem by se měla zlepšit, a to o 40 %. Je to díky použití nového rozhraní Toggle DDR 4.0 na efektivní rychlosti 1,4 Gb/s (na jeden bit datové šířky). Pokud se sliby Samsungu naplní, mohla by SSD s těmito čipy dosahovat lepších IOPS i přenosových rychlostí (to se asi ale projeví až s rozhraním PCI Express 4.0).
Spotřeba se patrně moc nezlepšila (možná i naopak), protože Samsung toliko uvádí, že „zůstává srovnatelná“ s 64vrstvou předchozí generací. Provozní napětí 96vrstvých čipů ale bylo sníženo z 1,8 V na 1,2 V. Produktivita výroby má však podle Samsungu narůst až o 30 %, čímž se asi míní celková kapacita vyrobená na jeden wafer.
Čipy páté generace V-NAND s kapacitou 256 GbVrstvené čipy páté generace V-NAND s 96 vrstvami se budou nejprve vyrábět v kapacitě 256 Gb (32 GB) na jeden čip a se zápisem TLC. Tyto čipy by asi měly směřovat do SSD spíše nižších kapacit, což dává určitou šanci, že se poměrně brzo octnou i v SSD pro nadšence a desktopová PC, která se dají koupit na volném trhu. Úplně počítat se s tím ale asi nedá, protože do tohoto pro nás nejdůležitějšího segmentu obvykle Samsung s nejnovějšími generacemi NAND až tak nespěchal. Čipy by se tak možná mohly objevit nejprve třeba v OEM SSD pro notebooky.
Později se 96vrstvá V-NAND začne vyrábět i v dalších velikostech. V přípravě má být čip o kapacitě 1 Tb (128 GB) se zápisem typu QLC. Ten bude pravděpodobně určen pro speciální enterprise úložiště, Samsung před časem sliboval QLC SSD s až 128 TB úložného prostoru. Se zápisem QLC se totiž sice počítá i do levných spotřebitelských disků, ale čipy s takto velkou kapacitou by pro lowend nebyly vhodné.
