Nedávno psal kolega Jan Olšan o nových 256 Gb NAND pamětech s technologií TLC, které mají na svědomí Toshiba a SanDisk. Druhá generace vrstvených čipů s kapacitou 128 Gb je již dobře zaběhnutá a v podstatě čipy využívající tuto technologii naleznete ve většině moderním SSD. Soupeří s nimi především planární čipy od Toshiby a SanDisku vyráběné 15nm výrobním procesem. Nyní se představuje třetí generace čipů, která nabídne dvojnásobnou kapacitu, a měla by se stát základem příštích SSD.
Třetí generace NAND od Samsungu nabídne 256 Gb (32 GB) čipy, které bude tvořit 48 vrstev s 3bitovými buňkami. Předchozí generaci tvořily čipy s 32 vrstvami 3bitových buněk. Nové čipy mají až o 30 % nižší spotřebu a až o 40 % větší výtěžnost. To by se mělo projevit na nižších cenách SSD, neboť novými čipy je prakticky ihned možné nahradit stávající 128 Gb paměťové moduly. Avšak nějakou dobou potrvá, než se uplatnění nových technologií projeví na cenách disků.
- Také Toshiba představuje 3D paměti NAND pro SSD. Její BiCS má 48 vrstev
- Toshiba a SanDisk už mají TLC verzi své 3D NAND, zvedá kapacitu čipů na 256 Gb
Samsung hodlá začít osazovat 256 Gb NAND čipy ještě v průběhu letošního roku. Především se chce zaměřit na firemní sektor, data centra a na nejvyšší segment zastoupený disky pro rozhraní PCIe NVMe a SAS.
Zdroj: TechPowerUp
Také Toshiba představuje 3D paměti NAND pro SSD. Její BiCS má 48 vrstev
