Samsung Foundry zatím nezveřejnila mnoho informací o připravovaném výrobním procesu, ale naznačila, že by se stále mělo jednat o FinFET (fin-shaped field-effect transistors). Tento 10nm výrobní proces by však měl nabídnout značné snížení spotřeby a rozměrů, důsledkem čehož by mělo být zvýšení výkonu. Důležité také je to, že je tato technologie vyvíjena s ohledem na co nejširší spektrum využití od paměťových po výpočetní čipy.
Nové 10nm čipy nespoléhají na zastaralou technologii BEOL (back-end-of-line), která u 14nm výrobního procesu LPE a LPP zvětšovala rozměry jednotlivých čipů, protože využívala 20nm procesu. Nyní by měly být čipy oproštěny od této brzdy a měla by se tak značně zlepšit cena za tranzistor, což výrobci jistě uvítají.
O tom, že jsou přípravy na spuštění sériové výroby v pokročilé fázi, svědčí také to, že Samsung představil 300mm afer s mikročipy vyrobenými právě 10nm procesem. Zatím není jasné, jestli Samsung nabídne více variant tohoto procesu, nebo zůstane u jediné.
Zdroj: Kitguru
