Samsung uvádí SSD 870 QVO, druhou generaci QLC disků. Až 8TB, ale ceny nejsou nízké

1. 7. 2020

Sdílet

 Autor: Samsung
QLC NAND druhé generace je tu a přináší v SSD dosud nevídanou kapacitu 8 TB. Ovšem cena za gigabajt není u SSD 870 QVO zrovna skvělá.

Před nedávnem prosákla zpráva o 8TB disku Samsung SSD 870 QVO, který tato firma chystá k vydání během tohoto léta. Toto úložiště bylo nyní skutečně uvedeno na trh, máme informace o jeho specifikacích a cenách.

Samsung SSD 870 QVO bylo oficiálně vydáno včera, čímž se stalo druhou generací disků, které Samsung uvedl s QLC NAND po úplně prvním SSD 860 QVO z předloňska. Na tohoto předchůdce řada 870 QVO navazuje tím, že jde stále o SATA disk s 2,5" pouzdrem, nikoliv o NVMe SSD.

Disk je založený na 96vrstvé (nebo dle některých zdrojů 92vrstvé) 3D NAND se záznamem QLC, což znamená 4 bity uložené v jedné buňce. Bude nabízeno v kapacitách 1 TB, 2 TB, 4 TB a 8 TB, ovšem za začátku jsou ještě na prodej jenom první tři, 8TB verze bude dostupná až příští měsíc (tj. někdy v srpnu, přesněji to uvedeno není).

Disk má řadič MKX vyvinutý přímo Samsungem, jenž by měl být nový proti řadiči MJX použitém v SS 860 QVO, ovšem může jít jen o mírnou revizi. Disk používá DRAM cache energeticky úsporného typu LPDDR4, ta má vždy stejnou kapacitu v gigabajtech, jakou má disk celkově paměti NAND v terabajtech – 8TB model tedy ponese 8 GB paměti DRAM, což by stačilo kolikrát i celému PC. Kromě toho bude použitá také pseudoSLC zapisovací cache, ta má kapacitu maximálně 78 GB (nebo 48 GB u 1TB verze).

Samsung SSD 870 QVO (Fotogalerie)

Detailní informace o výkonu

Samsungu slouží ke cti, že uvádí podrobné výkonnostní charakteristiky nejen pro zápis a čtení v rámci SLC cache, což je vždy rychlejší (až 98 000 IOPS při čtení, 88 000 IOPS, sekvenční rychlosti 560 MB/s při čtení a 530 MB/s při zápisu), ale i výkon při zápisu přímo do buněk QLC v momentě, kdy SLC cache je již plná.

Přímo v QLC zápisu má disk zvládnou ukládat data rychlostí 160 MB/s. Výkon zápisu klesá na 42 000 IOPS a nižší je i výkon náhodného čtení – 74 000 IOPS. Samsung jinak uvádí i výkon při extrémní zátěži s hloubkou fronty, kde čtení zvládá jen nějakých 11 000 IOPS ze SLC cache a 5000 IOPS v QLC buněk. Tato čísla ostatní výrobci vůbec nesdělují, takže se neděste jejich nízkosti.

Samsung SSD 870 QVO 14 Samsung SSD 870 QVO (Zdroj: Samsung)

Podrobné specifikace můžete vidět v tabulce. Pro 2TB až 8TB disky výrobce uvádí stejný výkon, ale je vidět, že 1TB disk už je na QLC příliš malý. Je složen zřejmě jen z osmi 1Tb čipů a je vidět, že tento omezený paralelismus snižuje výkon, jenž je v řadě parametrů jen poloviční. Zápis do QLC buněk je například už jen 80 MB/s.

Samsung SSD 870 QVO
Kapacita / model 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
Kapacita 1 TB 2 TB 4 TB 8 TB
NAND QLC 1 Tb QLC 1 Tb QLC 1 Tb QLC 1 Tb
DRAM (LPDDR4) 1 GB 2 GB 4 GB 8 GB
SLC (maximálně) 42 GB 78 GB 78 GB 78 GB
Sekvenční čtení 560 MB/s 560 MB/s 560 MB/s 560 MB/s
Sekvenční zápis 530 MB/s 530 MB/s 530 MB/s 530 MB/s
Náhodné čtení (4K) 98 000 IOPS 98 000 IOPS 98 000 IOPS 98 000 IOPS
Náhodný zápis (4K) 88 000 IOPS 88 000 IOPS 88 000 IOPS 88 000 IOPS
Náhodné čtení Queue Depth 1 11 000 IOPS 11 000 IOPS 11 000 IOPS 11 000 IOPS
Náhodný zápis Queue Depth 1 35 000 IOPS 35 000 IOPS 35 000 IOPS 35 000 IOPS
Sekvenční čtení z QLC 560 MB/s 560 MB/s 560 MB/s 560 MB/s
Sekvenční zápis do QLC 80 MB/s 160 MB/s 160 MB/s 160 MB/s
Náhodné čtení z QLC 45 000 IOPS 74 000 IOPS 74 000 IOPS 74 000 IOPS
Náhodný zápis do QLC 22 000 IOPS 42 000 IOPS 42 000 IOPS 42 000 IOPS
Náhodné čtení z QLC, Queue Depth 1 5000 IOPS 5000 IOPS 5000 IOPS 5000 IOPS
Náhodný zápis do QLC, Queue Depth 1 22 000 IOPS 34 000 IOPS 34 000 IOPS 34 000 IOPS
Spotřeba (čtení) 2,1 W 2,1 W 2,2 W 2,4 W
Spotřeba (zápis) 2,2 W 3,0 W 3,2 W 3,3 W
Spotřeba nečinnost 30 mW 30 mW 35 mW 45 mW
Spotřeba DevSlp 3 mW 4 mW 7 mW 10 mW
Garantovaný objem zápisu 360 TB 720 TB 1440 TB 2880 TB
Cena 130 $ 250 $ 500 $ 900 $

Disky mají mírnou spotřebu – čtení a zápis sice potřebují až 2,4/3,3 W, ale jsou podporovány úsporné režimy, takže nečinný disk spotřebovává jen 30–45 mW, v režimu DevSlp jen 3–10 mW. Pro osazení vysokokapacitního úložiště do notebooku se tedy bude SSD 870 QVO dobře hodit.

Záruka disku je na poměru QLC NAND slušná, Samsung garantuje 360 přepisovacích cyklů buněk (360 TB celkového zápisu pro 1TB model a tak dále, 8TB disk má přežít 2880 TB zápisu). Ovšem záruční lhůta sama co do délky je jen průměrná, jen tři roky.

Cena ne zrovna nejnižší

Cena byla zatím sdělena pro 1TB (130 $, u nás v přepočtu a s DPH 3750 Kč/140 €), dále 2TB (250 $, u nás 7200 Kč/269 €) a pak už jen 4TB model (500 $, u nás 14 450 Kč/538 €). Pro 8TB verzi ji Samsung zatím neprozradil, nicméně podle úniku to vypadá na 900 $, což docela zapadá do posloupnosti.

U 1TB a 2TB kapacity je výhodnější koupit levnější konkurenci s TLC

Ceny jsou oficiálně nižší než pro předchozí generaci 860 QVO pro uvedení, ale nejsou nějak dramaticky levné. V 1TB a 2TB kapacitě (v 4TB a 8TB kategorii QVO hřeší na to, že nemá moc konkurentů) za stejné peníze typicky seženete TLC disk nějaké levnější značky, byť to třeba bude model bez DRAM cache. Je otázka, zda má cenu na DRAM bazírovat, TLC bez DRAM může být pro některé věci možná i lepší než disk se štědrým přídělem LPDDR4, ale QLC NAND.

ICTS24

Preferovali byste SSD 870 QVO s QLC NAND proti stejně drahému nebo levnějšímu TLC SSD jiné značky?

Disky Samsung SSD 870 QVO už zrecenzovala řada webů, test můžete najít například na AnandTechu, Tom's Hardware, Guru3D, ComputerBase. Většinou se však shodují, že pro 1TB a 2TB verze, kde existuje levná TLC konkurence, není tento model moc atraktivní, takže smysl asi budou mít hlavně 4TB a 8TB modely, samozřejmě pokud si je budete moci dovolit.

Samsung SSD 870 QVO (Fotogalerie)

Zdroj: Samsung (1, 2), AnandTech