Samsung uvádí SSD 850 Pro, výkonné disky poprvé s převratnou 3D pamětí V-NAND

3. 7. 2014

Sdílet

 Autor: Redakce

Zatímco jiní výrobci ukazovali nová SSD na Computexu, Samsung si své trumfy ponechal v rukávu. Nyní o měsíc později totiž firma vydává svá nová výkonná úložiště SSD 850 Pro. Nejde však o běžnou novinku, nýbrž o první disky, v kterých Samsung používá nový typ paměti, označený jako V-NAND. Ten má místo běžného planárního uspořádání buňky stavěné na sobě v trojrozměrných vertikálních „štosech“, což otevírá novém možnosti pro hustotu záznamu, provozní vlastnosti či výkon.

V-NAND (tedy vertikální NAND) podle Samsungu přináší značné pokroky. Zápis má být až dvakrát rychlejší ve srovnání s konvenční MLC, údajně má mít i poloviční spotřebu a také výdrž má být lepší. V-NAND údajně zvládají okolo 3000 zápisů při rychlosti 50 MB/s, pokud se ale zpomalí na 36 MB/s, sníží se opotřebení a přepisů pak prý buňka zvládne i 35 000. Samsung stanovil záruku na deset let a disky by údajně měly vydržet ještě mnohem déle, než konzervativně stanovený garantovaný zápis 150 TB.

Samsung SSD 850 Pro
Samsung SSD 850 Pro

Současná generace V-NAND ukládá záznam v 32 vrstvách a díky tomu nebylo nutné tlačit příliš na výrobní proces. Svou 3D paměť Samsung údajně vyrábí postupem odpovídajícím 40nm procesu. Buňky sice mají mnohem větší plochu, díky naštosování ovšem na čipu zabírají stejně nebo méně místa.

 

SSD 850 Pro kombinuje novou technologii NAND s komponenty předchozí generace disků: použito je klasické rozhraní SATA, 2,5" pouzdro a řadič by měl být stejného návrhu (čip MEX) přímo od Samsungu jako v disku 840 Evo. Je ale možné, že se změnily takty čipu, a SSD 850 Pro má také nový firmware, potřebný kvůli značně odlišené NAND. Samotné čipy (interně jde o paměť typu MLC, nikoliv o TLC) mají netypickou kapacitu zhruba 86 Gbit, v pouzdrech na PCB se jich ale ukrývá více – 128 GB model má při čtyřech pouzdrech celkem 12 čipů.

Samsung V-Nand: Kanál, umožňující komunikaci s buňkami ve sloupci
Samsung V-Nand: Kanál, umožňující komunikaci s buňkami ve sloupci

V tabulce můžete vidět parametry jednotlivých modelů: Samsung chystá prozatím disky s kapacitou 128, 256, 512 GB a 1 TB. Ovšem i nejmenší model má papírově stejné parametry jako ten největší. Samsungu se tedy zřejmě podařilo i na malých verzích dosáhnout dostatečného paralelismu. Nevýhodou je, že Samsung řadu SSD 850 Pro směřuje do vyššího segmentu, podle čehož vypadají ceny (u nejmenšího modelu jsme u 1 USD za GB).

Samsung SSD 850 Pro Samsung SSD 850 Pro Samsung SSD 850 Pro

Z prvních testů ovšem tato SSD odešla s korunou výkonnostního vítěze, což vyšší cenovky ospravědlňuje. Navíc jsou na tom SSD 850 Pro slušně též se spotřebou pro použití v notebooku (včetně podpory DevSLP). V zátěži odebírají pod 3 W, v nečinnosti i pouhých 35 mW.

ICTS24

Kapacita
 128 GB
 256 GB 512 GB 1 TB
Velikost DRAM 256 MB 512 MB 512 MB 1 GB
Sekvenční čtení 550 MB/s 550 MB/s 550 MB/s 550 MB/s
Sekvenční zápis 470 MB/s 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s
Náhodné čtení (4K) 100 000 IOPS 100 000 IOPS 100 000 IOPS 100 000 IOPS
Náhodný zápis (4K) 90 000 IOPS  90 000 IOPS 90 000 IOPS 90 000 IOPS
Cena 130 USD 200 USD 400 USD 700 USD
Garantovaný přepis 150 TB 150 TB 150 TB 150 TB
Záruka 10 let 10 let 10 let 10 let

Disky se mají začít prodávat později tento měsíc, údajně od 21. července (júla). Pokud jste nedočkaví, můžete si už ale zatím přečíst recenze, které vyšly například na The Tech Reportu nebo na AnandTechu.

Zdroje: Samsung, The Tech Report, AnandTech