Také Toshiba představuje 3D paměti NAND pro SSD. Její BiCS má 48 vrstev

29. 3. 2015

Sdílet

 Autor: Redakce

Minulý týden představili Intel s Micronem 3D NAND, svou odpověď na V-NAND od Samsungu. Prakticky ve stejnou dobu ale nakonec svou technologii vrstvených pamětí flash formálně předvedla také Toshiba. Tím pádem lze už asi bezpečně říci, že vícevrstvé NAND představují budoucnost SSD a dalších úložných zařízení. Trojrozměrné čipy od Toshiby nesou označení BiCS (což znamená Bit Cost Scaling) a proti uvedeným dvěma konkurentům jsou zajímavé v tom, že obsahují podstatně více vrstev.

Paměti BiCS budou ve své první generaci mít kapacitu 128 Gb (16 GB) a měly by používat záznam MLC. Toshiba tedy nemíří tak vysoko jako IMFT (3D NAND z jeho produkce bude 256Gb pro typ MLC a s použitím TLC nabídne dokonce 384 Gb). Nicméně kapacita bude vyšší než u čipů vyráběných Samsungem, jehož nynější 32vrstvá V-NAND má při záznamu MLC kapacitu 86 Gb a 128Gb jsou až čipy typu TLC. Také Toshiba nejspíš pracuje na odvozené NAND typu TLC, která by pak měla buďto vyšší kapacitu, nebo menší plochu čipu a tedy cenu.

BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby

Paměťová buňka je údajně založená na elektronových pastech jako u Samsungu (zatímco IMFT má standardní plovoucí hradla). NAND typu BiCS bude mít v první generaci ovšem více vrstev. Toshiba jich používá rovnou 48, oproti 32 u Samsungu a IMFT. Server AnandTech k tomu podotýká, že Toshiba má v současnosti také „nejmenší“ klasickou NAND planárního typu, vyráběnou 15nm procesem. Proto zřejmě potřebuje vyšší počet vrstev, aby dosáhla zlepšení nad rámec těchto konvenčních 15nm čipů. Všechny druhy patrových pamětí NAND jsou totiž vyráběny na značně větších litografiích (odhaduje se, že někde v pásmu 30–39 nm), a vyšší počet vrstev tak musí kompenzovat nejen vyšší výrobní náklady kvůli komplikovanějšímu postupu, ale navíc i mnohem větší tranzistory.

BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby
BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby

Je vcelku možné, že v době, než přijde paměť BiCS na trh, už také Samsung zvýší počet vrstev, takže Toshiba zde též myslí na budoucnost. BiCS se totiž zřejmě do praxe (čímž myslím, že se budou dát koupit na ní založená SSD) dostane až v roce 2016. Z předběžné výroby už jsou ale v tuto chvíli hotové funkční vzorky a partneři by je už měli mít k dispozici, takže vývoj disků může začít. V současnosti je k produkci připravena jedna továrna (Fab 5), příští rok ale masovou produkci posílí druhá (Fab 2).

 

Podle některých materiálů Toshiby má mít BiCS nejmenší plochu ze zatím odhalených typů 3D pamětí NAND, což bude důležité z hlediska výrobních nákladů. Nicméně podle vyjádření společnosti zřejmě bude chvíli trvat, než BiCS nahradí konvenční planární NAND. Její produkce má totiž ještě po nějaký čas pokračovat ruku v ruce s novou technologií. To možná naznačuje, že BiCS z počátku nebude schopná poskytnout nižší výrobní náklady na jeden GB. Bude tedy asi směřovat jen do výkonnějších a dražších zařízení, zatímco levná SSD, paměťové karty a flash disky zatím zůstanou u planární NAND. To by ale měl časem změnit přesun na menší výrobní procesy a další zdokonalení technologie, po čemž se nejspíš BiCS (nebo obdoby u konkurentů) stanou standardem.

ICTS24

BiCS, trojrozměrné paměti NAND od Toshiby

Zdroje: Toshiba, Tom‘s Hardware, AnandTech