Micron nedávno zmenšil NAND paměti a nyní ohlásil přechod z 50nm na 42nm výrobu u DRAM modulů. Ve spolupráci s japonskou firmou Nanya představili novou technologii, která jim umožní vyrábět energeticky úspornější DDR3 čipy splňující normu JEDEC DDR3L (napětí 1,35 V). Podle údajů společnosti budou nové paměti až o 30% úspornější. Menší 2Gb čipy se zlevní a díky vyšší hustotě bude možné vyrábět i 16GB moduly DDR3. Obě společnosti zároveň pracují na 3Xnm procesu. První vzorky by měly sjet z výrobních linek v druhém čtvrtletí 2010, v druhé polovině roku se počítá s masovou výrobou.
DDR3 budou letos větší, levnější a energeticky úspornější, zdroj: Micron
Konkurenční Elpida zmenšovala také. Na konci minulého roku oznámila 40nm výrobu DDR3, která by se měla také rozjet v druhé polovině 2010. Elpida slibuje i 1,2V paměti, úspora energie oproti 50nm 1,5V je až 50 %. Aby čísel nebylo málo, oproti předchozí generaci se z jednoho waferu vyrobí o 44 % více čipů.
Korejský Samsung na začátku minulého roku jako první zavedl 50nm proces. Od minulého týdne je všechno jinak a klasicky v druhé půlce roku přejde na 30nm technologii. Další z korejských výrobců Hynix dokončí přechod na 40nm do konce roku 2010.
