Zdá se, že krátce po zprávách o nové továrně Samsungu vyrábějící čipy NAND Flash a představení nové generace vrstvené NAND od Toshiby a WD tu máme ještě jednu novinu z této oblasti. Přezbrojení totiž hlásí také Hynix. Ten nerozjíždí celou novou továrnu, ale nasazuje do produkce novou generaci čipů, která by měly zlepšit výnos ze stávajících linek díky vyšší hustotě bajtů na jednotku plochy.
SK Hynix nyní oznámil, že začal vyrábět novou generaci (podle interního číslování čtvrtou) své verze vrstvené paměti NAND, kterou oznámil začátkem roku. Tyto čipy se budou vyznačovat naštosováním paměťových buněk do již 72 vrstev. To by asi momentálně měl být největší počet vrstev v produkci (Toshiba aktuálně má 64vrstvé čipy a Samsung zřejmě také), i když nevíme, zda Hynix někdo nepředčí ještě předtím, než se jeho 72vrstvé čipy dostanou na trh v konkrétních produktech.
Hynix začal vyrábět první verzi 72vrstvé NAND, u níž má jeden čip kapacitu 256 GB (32 GB). Později má přijít ještě 512Gb varianta pro vysokokapacitní úložiště, tam ale byla avizována výroba až od čtvrtého kvartálu, kdežto univerzálněji použitelné 256Gb čipy mají zřejmě prioritu. Hynix je nyní začal sériově vyrábět ve své továrně M12 ležící v jihokorejském Čchongdžu, která má kapacitu 40 tisíc waferů za měsíc. Zároveň je výroba 72vrstvé 3D NAND chystaná také v komplexu M14 v Ičeonu, kde by na tuto technologii mělo přejít druhé patro továrny, také během třetího čtvrtletí. Do konce roku by údajně díky těmto dvěma linkám měla vrstvená NAND u Hynixu už převážit objem výroby starších planárních čipů.
SSD a čipy NAND od Hynixu72vrstvá NAND Hynixu používá standardně zápis typu TLC. Podle Hynixu je návrh čipu značně vylepšen proti předchozí generaci, takže by měl umožňovat lepší výkon. Vnitřní komunikace je podstatně rychlejší, operace jsou údajně dvakrát rychlejší. Zároveň má větší propustnost také rozhraní mezi čipem NAND a řadičem SSD, jeho rychlost byla podle Hynixu navýšena o 20 %. Díky tomu by tyto paměti měly také měly dávat vznik celkově výkonnějším SSD a možná bychom je na trhu také mohli potkávat častěji, než je tomu dosud.
NAND od Hynixu není v běžně prodávaných discích příliš častá a 3D NAND se zatím reálně objevovala jen od IMFT, Toshiby a Samsungu v jeho vlastních výrobcích. Nová generace by ale údajně mohla být více konkurenceschopná. Hynix už také prý má připravené nějaké vlastní SSD či jiné produkty (možná mobilní úložiště typu eMMC, UFS) používající vlastnoručně vyvinuté řadiče, které by možná také mohly na na trhu vykukovat častěji než dnes.
Vyšší výnos z waferů by měl zmírnit krizi na trhu
Zvýšení počtu vrstev má podobný vliv jako dříve přechod na nový výrobní proces. Nová technologie by měla umožnit dostat na stejně velký čip větší kapacitu a potažmo tím také dostat více kapacity ze stejného množství waferů. Podle starších údajů možná až o 30 %, takže tím pádem by rozjezd výroby nové generace 3D čipů měl nepřímo pomoci zvládat současný nedostatek pamětí NAND Flash na trhu. Ten již od loňska zvyšuje ceny této komodity a na ní závislých výrobků od mobilů přes paměťová média po SSD. Doufejme tedy, že čtvrtá generace 3D čipů od Hynixu pomůže dostat ceny zase níž.
