Intel dokončil vývoj 32nm procesu

Společnost Intel dokončila fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009.

Technické podrobnosti o novém, 32nm technologickém procesu, zveřejní Intel na konferenci International Electron Devices Meeting (IEDM) příští týden v San Franciscu. Díky dodržení časového rámce vývojového i výrobního plánu Intel naplní svůj ambiciózní plán produktové a výrobní frekvence nazývaný „tick-tock“ model. Cílem je přibližně každých 12 měsíců střídavě představovat zcela novou procesorovou mikroarchitekturu a nejmodernější výrobní proces. Tento plán nemá ve svém oboru obdoby.  Zahájení výroby 32nm čipů v příštím roce znamená dodržení plánu již po dobu čtyř let.

Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.

„Inovace ve výrobních procesech nám pomáhají zvýšit náskok v oblasti výpočetního výkonu i výdrži baterií u notebooků, serverů i stolních počítačů s procesory Intel,“ říká Mark Bohr, ředitel procesové architektury a integrace. „Letošní úspěch při realizaci naší výrobní strategie nám ale umožní vyrábět i zcela nové produktové řady mobilních internetových zařízení, spotřební elektroniky, integrovaných počítačů nebo netbooků.“

Intel na konferenci IEDM představí i další studie, zabývající se zejména následujícími tématy: nízkoenergetickou verzí „systému na jednom čipu“ (System on Chip - SoC) vytvořeného 45nm procesem, tranzistory na bázi sloučeninových polovodičů, integrace chemických mechanických leštidel pro 45nm uzly a integrace pole křemíkových fotonických modulátorů. Intel se také zúčastní krátké přednášky na téma 22nm CMOS technologie.

Zdroj: Intel