Korejský výrobce oznámil zahájení velkovýroby nových paměťových čipů s kapacitou 12 GB. Jde o moduly LPDD4X určené pro mobilní zařízení a Samsung na ně využívá druhou generaci 10nm-class litografie (tj. tranzistory nemusí mít přesně 10 nm). Modul o tloušťce pouze 1,1 mm obsahuje šest vrstev s 16Gb čipy, celková propustnost činí 34,1 GB/s.
Samsung již před rokem oznámil i 8GB paměti LPDDR5, které zvýší rychlost o polovinu a budou mít nižší spotřebu, letošní generace mobilů a tabletů se ale ještě obejde bez nich, leda že by na podzim překvapil Apple či Huawei. JEDEC totiž formát standardizoval teprve na konci února a současné čipsety ještě nemají potřebné řadiče. Oba výrobci ale nové čipsety i jimi vybavené produkty představují na podzim.
První 12GB čipy již najdeme ve dvou zařízeních. Samsung je využil u nejvyšší verze Galaxy S10+, Xiaomi pak u telefonu Mi 9. Továrna v korejském Pchjongtcheku plánuje ve druhé polovině zvýšit produkci 8- a 12GB čipů na trojnásobek, zájem o velké paměti tedy poroste napříč celým trhem.
Samsung k této příležitosti připomněl, že před 10 lety vyráběl jen 256MB čipy, současná kapacita je 48× vyšší. Špičkové mobily už v této disciplíně pomalu předbíhají počítače. Podle statistik Steamu má 59 % hráčů 8 GB RAM či méně.
| Datum | Kapacita | Paměť |
|---|---|---|
| 02/2019 | 12 GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| 07/2018 | 8 GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| 04/2018 | 8 GB (ve vývoji) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400 Mb/s |
| 09/2016 | 8 GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| 08/2015 | 6 GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266 Mb/s |
| 12/2014 | 4 GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200 Mb/s |
| 09/2014 | 3 GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
| 11/2013 | 3 GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
| 07/2013 | 3 GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
| 04/2013 | 2 GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
| 08/2012 | 2 GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600 Mb/s |
| 2011 | 1/2 GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066 Mb/s |
| 2010 | 512 MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400 Mb/s |
| 2009 | 256 MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400 Mb/s |
