Větší paměť než u většiny počítačů. Samsung vyrábí 12GB RAM pro mobily

14. 3. 2019

Sdílet


Korejský výrobce oznámil zahájení velkovýroby nových paměťových čipů s kapacitou 12 GB. Jde o moduly LPDD4X určené pro mobilní zařízení a Samsung na ně využívá druhou generaci 10nm-class litografie (tj. tranzistory nemusí mít přesně 10 nm). Modul o tloušťce pouze 1,1 mm obsahuje šest vrstev s 16Gb čipy, celková propustnost činí 34,1 GB/s.

Samsung již před rokem oznámil i 8GB paměti LPDDR5, které zvýší rychlost o polovinu a budou mít nižší spotřebu, letošní generace mobilů a tabletů se ale ještě obejde bez nich, leda že by na podzim překvapil Apple či Huawei. JEDEC totiž formát standardizoval teprve na konci února a současné čipsety ještě nemají potřebné řadiče. Oba výrobci ale nové čipsety i jimi vybavené produkty představují na podzim.

První 12GB čipy již najdeme ve dvou zařízeních. Samsung je využil u nejvyšší verze Galaxy S10+, Xiaomi pak u telefonu Mi 9. Továrna v korejském Pchjongtcheku plánuje ve druhé polovině zvýšit produkci 8- a 12GB čipů na trojnásobek, zájem o velké paměti tedy poroste napříč celým trhem.

bitcoin_skoleni

Samsung k této příležitosti připomněl, že před 10 lety vyráběl jen 256MB čipy, současná kapacita je 48× vyšší. Špičkové mobily už v této disciplíně pomalu předbíhají počítače. Podle statistik Steamu má 59 % hráčů 8 GB RAM či méně.

Vývoj mobilních RAM od Samsungu
Datum Kapacita Paměť
02/2019 12 GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s
07/2018 8 GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s
04/2018 8 GB (ve vývoji) 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400 Mb/s
09/2016 8 GB 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s
08/2015 6 GB 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266 Mb/s
12/2014 4 GB 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200 Mb/s
09/2014 3 GB 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133 Mb/s
11/2013 3 GB 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133 Mb/s
07/2013 3 GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s
04/2013 2 GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133 Mb/s
08/2012 2 GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600 Mb/s
2011 1/2 GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066 Mb/s
2010 512 MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400 Mb/s
2009 256 MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400 Mb/s