Samsung a Toshiba vyvíjejí rychlejší flash paměti

22. 7. 2010

Samsung a Toshiba se navzdory tradiční rivalitě mezi jihokorejskými a japonskými výrobci rozhodly zakopat válečnou sekyru. Firmy oznámily, že společně vyvíjejí technologii Toggle DDR2 NAND a zasazují se o její standardizaci u organizace JEDEC. Samsung v současné době nabízí čipy „Toggle DDR NAND“ s rychlostí rozhraní 133 Mb/s, standard DDR2 NAND má přinést rychlost 400 Mb/s.

Jak jste asi pochopili, pojmy DDR a DDR2 nevyjadřují přítomnost volatilních pamětí DRAM, které takto nepřesně s oblibou označujeme, ale přenášení dat mezi flash čipem a jeho řadičem dvakrát za takt. Stávající čipy NAND flash s rozhraním Toggle DDR, které vyrábí pouze Samsung, ale jsou standardizovány u JEDEC, umí také pracovat se signálovacím napětím 1,8 V vedle standardních 3,3 V a podle potřeby přepínají rychlost komunikačního rozhraní. Obojí slouží ke snížení spotřeby.

Technologie NAND flash čipů ale svižným tempem postupuje, výrobci přecházejí na nové výrobní postupy a rychlost se zvyšuje. Proto i propustnost rozhraní 133 Mb/s na jeden čip bude jednoho dne limitem, a tak již v roce 2011 by mohly existovat čipy podporující přenosovou rychlost 400 Mb/s.