Samsung má první 256GB čip pro mobily a tablety
Samsung uvádí až 850 MB/s při čtení a 260 MB/s při zápisu, loni podporoval jen 350 a 150 MB/s. Zvýšil se také počet operací za sekundu. Čipy z roku 2014 slibovaly 19 000 IOPS pro čtení a 14 000 IOPS pro zápis, letos 45 000, respektive 40 000 IOPS.
Výrobce jinak není moc sdílný. Neřekl, jaký výrobní proces používá, jakou SLC/MLC/TLC architekturu, jestli opět stoupla výška čipu/pouzdra. Z parametrů akorát můžeme usoudit, že jde o čipy High-Speed Gear 3 s podporou dvou linek. Takové už představily i konkurenční společnost Hynix a Toshiba, ale v menší kapacitě.
Pro UFS 2.0 to znamená konečnou a výrobci již budou vyhlížet UFS 3.0, což by mělo rychlosti opět násobit. I stávající UFS je ale dostatečně rychlé. Strčí do kapsy častěji používané eMMC 5.1 i SSD připojené přes SATA. Nehledě na microSD karty.
Jsme zvědavi, kdo nový 256GB čip použije jako první. Nabízí se Samsung a jeho chystaný phablet Galaxy Note 6. O vysoké rychlosti a kapacity bude mít zájem také Apple, ale tomu NAND paměti do iZařízení dodávají právě Hynix s Toshibou. A ty nejspíš s vyšší kapacitou přispěchají také.
Zdroj: Samsung
ČLÁNKY DO MAILU