Hlavní navigace

Samsung má první 256GB paměťový čip pro mobily a tablety. Slibuje rychlost až 850 MB/s

26. 2. 2016

Sdílet

 Autor: Redakce

Trvalo jen rok, než se Samsungu podařilo zdvojnásobit kapacitu mobilních čipů. Před rokem uvedl 128GB 3D V-NAND paměti, letos budou jeho továrny produkovat 256GB čipy pro rozhraní UFS 2.0. Nahoru nešla jen kapacita, ale také rychlosti.

Samsung má první 256GB čip pro mobily a tablety
Samsung má první 256GB čip pro mobily a tablety

Samsung uvádí až 850 MB/s při čtení a 260 MB/s při zápisu, loni podporoval jen 350 a 150 MB/s. Zvýšil se také počet operací za sekundu. Čipy z roku 2014 slibovaly 19 000 IOPS pro čtení a 14 000 IOPS pro zápis, letos 45 000, respektive 40 000 IOPS.

 

Výrobce jinak není moc sdílný. Neřekl, jaký výrobní proces používá, jakou SLC/MLC/TLC architekturu, jestli opět stoupla výška čipu/pouzdra. Z parametrů akorát můžeme usoudit, že jde o čipy High-Speed Gear 3 s podporou dvou linek. Takové už představily i konkurenční společnost Hynix a Toshiba, ale v menší kapacitě.

Pro UFS 2.0 to znamená konečnou a výrobci již budou vyhlížet UFS 3.0, což by mělo rychlosti opět násobit. I stávající UFS je ale dostatečně rychlé. Strčí do kapsy častěji používané eMMC 5.1 i SSD připojené přes SATA. Nehledě na microSD karty.

WT100

Jsme zvědavi, kdo nový 256GB čip použije jako první. Nabízí se Samsung a jeho chystaný phablet Galaxy Note 6. O vysoké rychlosti a kapacity bude mít zájem také Apple, ale tomu NAND paměti do iZařízení dodávají právě Hynix s Toshibou. A ty nejspíš s vyšší kapacitou přispěchají také.

Zdroj: Samsung