Samsung oznámil SSD s QLC NAND: terabajtové kapacity pro masy, výkon prý jako s TLC

7. 8. 2018

Sdílet

 Autor: Redakce

Málokdy už dnes člověk slyší stížnosti na paměti NAND se záznamem TLC v SSD, které ještě před pár lety zněly celkem běžně. Dnes už je TLC prakticky norma a zvykli jsme si. Vrstvené čipy asi zaznamenaly zlepšení proti planárním, a navíc se zlepšily ECC algoritmy. Asi je tedy ideální čas, aby přišlo opět „nové zlo“: záznam typu QLC se čtyřmi bity na buňku. Ten zvedá kapacitu čipů o třetinu, ale také opět uškodí výkonu a životnosti. A zprávy indikující příchod QLC disků se nám skutečně začínají množit. Nyní Samsung ohlásil první SSD s tímto zápisem určená pro spotřebitelský (tedy ten náš) trh. Jak problematická tato technologie v praxi bude, to se asi bude dát říct až za delší dobu, ale měla by alespoň přinést vyšší kapacity a snad nižší ceny.

Samsung se QLC diskem pro masy pochlubil nyní před Flash Memory Summitem a ačkoliv zatím disk není formálně uveden a ještě dokonce ani nebylo sděleno, jak se bude jmenovat, firma prozradila některé parametry, které můžeme od této novinky čekat. Tou hlavní je kapacita: SSD s pamětí typu QLC budou mít kapacitu 4 TB. To není něco, co by doposud nebylo dosaženo, ovšem zde je implikace, že by zřejmě podobná velká SSD měla s čipy QLC už být dostupná (relativně). Ona zatím nepojmenovaná řada QLC SSD by kromě největšího 4TB modelu měla nabízet i varianty s kapacitou 2 TB a 1 TB – níž patrně nepůjde. Podle Samsungu mají právě tyto QLC disky otevřít běžným lidem bránu k terabajtovým SSD.

QLC disky údajně budou mít podobný výkon jako TLC modely

Má jít o disky s rozhraním SATA, podle ilustračních obrázků v klasickém 2,5" provedení. Samsung by ale teoreticky mohl asi nabízet i SATA modul M.2. Zajímavá informace je, že toto SSD má údajně zachovat výkon SATA disků s pamětí typu TLC. Roli by v tom asi mělo hrát to, že disky budou opět používat techniku zapisovací pseudoSLC cache TurboWrite – jde o systém, kdy jsou všechny zápisy směrovány do zvláštní oblasti disku, kam řadič zapisuje bez použití záznamu QLC, ale jen v režimu SLC. To dovoluje mnohem rychlejší zápis (a tento buffer také má vyšší životnost), pokud objem zapsaných dat nepřekročí velikost tohoto prostoru.

Podle Samsungu mají QLC disky nabízet rychlosti až 540 MB/s při sekvenčním čtení a až 520 MB/s při sekvenčním zápisu. Otázka je samozřejmě, kam se rychlost zápisu propadne, když se pseudoSLC cache zaplní a začne se zapisovat rovnou v režimu QLC. A Samsung také neříká nic o výkonu v náhodném přístupu (IOPS). Také zatím nemáme čísla ke garantované přepisovací životnosti, jen to, že záruka bude tříletá.

ICTS24

Zatímco TLC používá v buňce osm úrovní napětí, signál u QLC musí rozlišit šestnáct hodnot Zatímco TLC používá v buňce osm úrovní napětí (3 bity informace), signál u QLC musí rozlišit šestnáct hodnot (4 bity)

Samsung uvádí, že toto QLC SSD bude konstruováno z 64vrstvých čipů (jde o V-NAND čtvrté generace) o kapacitě 1 Tb (128 GB) na jeden křemík. O těch jsme tu nedávno měli zmínku, ale nečekali jsme, že by se takto rychle dostal do spotřebitelských SSD. Nicméně úložiště, o kterých je zde řeč, nebudou lowendová ve smyslu nízké kapacity, ta bude naopak jak už bylo řečeno vysoká a v discích se bude nacházet 8, 16 nebo až 32 (4TB model) čipů NAND. Samsung uvádí, že stejný čip dostane také například do paměťových karet, kde zase umožní vyrábět jednoduché 128GB karty (bude jim kromě řadiče stačit jediný čip NAND). QLC se tím pádem chystá také do mobilů.

Samsung v tiskové zprávě tvrdí, že začal s masovou výrobou těchto disků (což je typ oznámení, který má firma docela v oblibě, ale většinou ho exploatuje hlavně u pamětí). Nicméně regulérní uvedení by asi nemělo vzdálenější než pár měsíců. Podle Samsungu se paměť typu QLC „rychle rozšíří do skrznaskrz celým trhem“.