Samsung vyvinul 1,25V paměti DDR3 s frekvencí 1333 MHz

15. 9. 2011

Sdílet

 Autor: Redakce

Samsung Electronics vyvinul v rámci svého programu Green Memory 4Gb paměťové čipy DDR3 RDIMM (registered dual inline memory modules). Ty jsou vyráběné moderním 30nm procesem a operují pod napětím 1,25 V. Těmito čipy budou vybaveny paměťové moduly, které jsou zaměřené na podnikové servery, kde je vyžadována nízká spotřeba. Frekvence paměťových modulů je 1333 MHz.

Podle tiskové zprávy, kterou Samsung zveřejnil, má 16GB set pamětí DDR3 využívající tyto paměťové čipy spotřebu 3,7 W, což je o 15 % méně oproti setu se stejnými specifikacemi, který pracuje při napětí 1,35 V. V porovnání s 40nm moduly se stejnou kapacitou, jež využívají 2Gb čipy DDR3-1333 RDIMM, dosahuje úspora až 60 %.

Masovou produkci těchto modulů Samsung plánuje na začátek příštího roku a k dostání budou sety o kapacitách 4 GB, 8 GB a 16 GB.

Zdroj: TZ Samsung