Samsung této kapacity nedosáhl stohováním několika čipů na sebe, ke kterému by pojem 3D mohl svádět. Ani 3D tranzistory nejsou úplně přesnou paralelou. Společnost přišla na způsob, jak přímo při výrobě naskládat do čipu až 24 vrstev paměťových buněk. O technickém řešení víme jen to, že Samsung používá jakési proprietární vertikální propojení a že elektrický náboj je uchováván v nevodivé vrstvě nitridu křemíku (SiN) namísto plovoucího hradla. Výrobní postup bude pravděpodobně 19nm nebo 21nm.
Korejský gigant uvedl, že V-NAND vykazuje dvou- až desetinásobně vyšší „spolehlivost“ oproti klasickým 19nm NAND (nevíme, jestli se tím myslí počet P/E cyklů, nebo něco jiného) a také dvakrát vyšší rychlost zápisu. V první řadě ale V-NAND umožňuje zvyšovat „hustotu zápisu“ bez nutnosti přecházet na nové výrobní technologie, což je postupem času stále problematičtější.
Zdroj: The Tech Report
