Hlavní navigace

Superrychlé flash disky do USB 3.0

5. 2. 2008

Sdílet

Zdroj: Redakce

Společnosti Intel Corporation (Santa Clara, Kalifornie) a Micron Technology Inc. (Boise, Idaho) představily vysokorychlostní NAND flash paměť. Ta dokáže výrazně zrychlit ukládání a přenos dat v zařízeních, která pro práci s daty používají křemík. Nová technologie se bude vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT).

Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a může dosáhnout rychlosti až 200 MB/s pro čtení dat a 100 MB/s pro jejich zápis. Takových hodnot lze docílit díky využití nové specifikace ONFI 2.0 a takzvané „four-plane“ architektury, která běží na rychlejších taktovacích frekvencích.


Pro srovnání, konvenční buňka NAND první úrovně dosahuje limitu 40 MB/s pro čtení dat a pro zápis dat méně než 20 MB/s.

Vysoké rychlosti nových NAND čipů budou využity mimojiné i díky sběrnici USB 3.0. Micron už má také vzorky prvních High speed NAND čipů o kapacitách 8 až 32 Gb.

Více informací o vysokorychlostní NAND technologii naleznete zde: www.micron.com/highspeednand

 

Autor článku